大发mg平台:团队还发明了一种生产硅纳米线的新方法

美国东北大学科学家领导的研究团队发现了高密度硅的一种新形式，并开发了一种新的可伸缩无催化剂蚀刻技术，可将这种硅制成直径为2-5纳米的超窄硅纳米线。这一成果发表在最新一期的《自然通讯》杂志上，预计将给半导体行业带来革命性的变化，并有望应用到量子计算等领域。

十年前，东北大学的研究人员发现了硅"非常非常小"线性的纳米结构。随后的计算机建模表明，这种材料具有很高的压缩结构，其尺寸比普通硅小10% - 20%大发mg平台，通常在这种压缩状态下是不稳定的。结果表明，新硅的顶部有一层薄薄的氧化层，这可能有助于保持它的压缩。

新硅材料的电子带隙为11.1伏，这是由新硅材料的电子带隙决定的。

超宽的带隙意味着材料需要更多的刺激才能导电，但也表明它可以在高功率、高温和高频下工作。因此，这种新材料生产的硅纳米线将适用于电子、晶体管、二极管和LED器件领域。

该团队还发明了一种生产硅纳米线的新方法——无催化剂的化学蒸汽蚀刻，这种方法只能生产1 / 20到1 / 10的商用硅纳米线。

研究人员表示，这种新型硅对半导体行业的光伏应用(如无线电、雷达和太阳能电池)具有吸引力。新型硅纳米线还可以提高锂离子电池的性能，拓展其应用领域。由于新型硅纳米线的尺寸非常小，可以用来操纵各种有趣的量子现象，处理量子计算领域的量子信息。